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STMicroelectronics
ST25DV04KC - 动态 NFC/RFID 标签 IC
ST25DV04KC-IE, ST25DV04KC-JF
具备 4-Kbit EEPROM 与高速传输模式的动态 NFC/RFID 标签 IC
产品简介
ST25DV04KC、ST25DV16KC 与 ST25DV64KC（以下统称为 ST25DVxxKC）设备为 NFC RFID 标签，分别提供 4、16 与 64-Kbit 的电可擦除可编程存储器（EEPROM）。这些器件具备两种接口：第一种为可由直流电源供电运行的 I²C 串行通信接口；第二种为 RF 接口，当器件作为非接触式存储器使用时，将由接收到的电磁载波能量供电并启动。在 I²C 模式下，用户存储容量分别为 512 字节（ST25DV04KC）、2048 字节（ST25DV16KC）或 8192 字节（ST25DV64KC），并可划分为四个灵活且可独立保护的区域。
在 RF 模式下，器件符合 ISO/IEC 15693 或 NFC Forum Type 5 规范，用户存储器分别包含 128 个（ST25DV04KC）、512 个（ST25DV16KC）或 2048 个（ST25DV64KC）4 字节区块，同样可划分为四个灵活且可保护的区域。
通过一个 256 字节的易失性缓冲区（Mailbox），实现 RF 与接触式接口之间的高速数据传输。此外，GPO 引脚可上报多种事件状态，例如 RF 场检测、RF 通信进行中或 Mailbox 消息可用等。器件亦支持能量采集（Energy Harvesting）功能。
产品特点
- 内建 ST 先进的专利技术
- I²C 接口
- 双线式 I²C 串行接口，支持最高 1 MHz 通信协议
- 单电源供电电压：1.8 至 5.5 V
- 多字节编程写入（最多 256 字节）
- 可配置的 I²C 目标地址
- 非接触式接口
- 基于 ISO/IEC 15693 标准
- 通过 NFC Forum 认证的 NFC Forum Type 5 标签
- 支持所有 ISO/IEC 15693 的调制方式、编码方式、副载波模式与数据传输速率
- 自定义高速读取模式，最高可达 53 Kbit/s
- 单区块与多区块读取（扩展指令亦同）
- 单区块与多区块（最多四个）写入（扩展指令亦同）
- 内建调谐电容：28.5 pF
- 存储器
- 最高可达 64 Kbit EEPROM（视版本而定）
- I²C 接口以字节（Byte）方式访问
- RF 接口以 4 字节为单位的区块方式访问
- 写入时间：
- 通过 I²C：写入 1 至 16 字节，典型值为 5 ms
- 通过 RF：写入一个区块，典型值为 5 ms
- 数据保存年限：40 年
- 写入耐久度：
- 25 °C 时可达 100 万次
- 85 °C 时可达 60 万次
- 105 °C 时可达 50 万次
- 125 °C 时可达 40 万次
- 高速传输模式
- I²C 与 RF 接口之间的高速数据传输
- 半双工 256 字节专用缓冲区
- 能量采集（Energy Harvesting）
- 提供模拟输出引脚，可为外部器件供电
- 数据保护
- 用户存储器：可划分为一至四个可配置区域，并可通过 RF 接口的三组 64 位密码，以及 I²C 接口的一组 64 位密码，分别设置读取和/或写入保护
- 系统配置设置：可通过 RF 接口的一组 64 位密码，以及 I²C 接口的一组 64 位密码进行写保护
- GPO
- 中断引脚可针对多种 RF 事件进行配置（如场变化、存储器写入、通信活动、高速传输、用户设置/复位/脉冲），以及 I²C 事件（存储器写入完成、RF 关闭）
- 开漏（Open Drain）或 CMOS 输出（视版本而定）
- 低功耗模式（仅适用于 10-ball 与 12-pin 封装）
- 通过输入引脚触发低功耗模式
- RF 管理
- 可由 I²C 主控制器启用或禁用 RF 指令解析器
- I²C 优先级：可由 I²C 立即关闭 RF
- 工作温度范围
- 等级 6：
- -40 °C 至 85 °C
- 等级 8：
- -40 °C 至 105 °C（仅限 UDFPN8 与 UFDFPN12）
- -40 °C 至 125 °C（仅限 SO8N 与 TSSOP8，RF 接口最高 105 °C）
- 等级 6：
- 封装
- 8-pin、10-ball 与 12-pin
- ECOPACK2（符合 RoHS 规范）
*STMicroelectronics Authorized Distributor
