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意法半导体基于STM32G4的30kW SiC高性能电动汽车充电器解决方案
随着电动汽车电池电量和电压的增加，对电动汽车充电的要求越来越高。意法半导体为客户提供先进的整体元器件（SiC MOSFET/SiC二极管/STGAP/STM32）解决方案，其30kW Vienna PFC+LLC解决方案可实现98.8%的峰值效率，DCDC解决方案可实现98%的峰值效率。
30 kW AD-DC数字控制解决方案——带数字控制的30 kW三相Vienna PFC整流器参考设计(STDES-30KWVRECT)
STDES-30KWVRECT参考设计为大功率三相有源前端(AFE)整流器应用（基于三电平Vienna拓扑）引入了完整的数字电源解决方案。借助SCTWA90N65G2V-4和STPSC40H12C，该平台的峰值效率超过98.5%。其采用STM32G474RE混合信号高性能微控制器进行全数字控制，可对PF、直流电压和软启动程序进行全面控制。STDES-30KWVRECT实现了低总谐波失真（满载时THD小于5%）和高功率因数（满载时高于0.99），同时提供高带宽连续传导模式（CCM）电流调节。
解决方案框图
解决方案主要包含以下几款意法半导体的产品
● STM32G474（32位MCU）
● SCT018W65G3-4AG（12 x 20.7mΩ SiC MOSFET）
● STPSC40H12C（6 x SiC二极管）
● STGAP2SiC（电绝缘栅极驱动器）
主要特点
● 输入交流电压：三相345 VAC至460 VAC，47 Hz至63 Hz
● 最大输入电流：55 ARMS
● 直流输出电压800 VDC，额定输出功率30kW
● 正常情况下峰值效率为98.70%
● 满负荷运行时功率因数为0.99，THD低于3%
● STM32G474：高性能32位MCU
● 功率密度：48.8W/in³
主要优势
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基于SiC器件的解决方案；实现更高的效率
- 使用并联SiC MOSFET实现更高功率，均衡共享电流
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基于STM32G4的全数字电源解决方案，用于Vienna拓扑控制
30kW DC-DC数字控制解决方案——30kW三相交错LLC解决方案
解决方案框图
解决方案框图
解决方案主要包含以下几款意法半导体的产品：
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MCU：STM32G474VET6
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SiC MOSFET：SCT025W120G3-4AG
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超快二极管：STTH60RQ06W
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栅极驱动器：STGAP2SICS
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肖特基二极管：STTH1L06A、STPS1150A、STPS2H100A、STPS2L60A
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GPA：LM393DT、LD29080DT50R、LD29080DT33R、TSV9121DT
主要特点
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输出电压范围：200-1000VDC 最大电流：100A
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输出功率：最大30kW
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目标峰值效率：98%
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尺寸(W*L*H)：285mm*415mm*70mm
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功率密度50W/in³
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风扇冷却
主要优势
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基于SiC器件的解决方案；实现更高的效率
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单电路使用较少的SiC MOSFET，实现更高功率
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宽范围和高输出电压
