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ROHM
2023/05/25
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT
非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC(Silicon Carbide：碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。
新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.(以下简称“台达电子”)的子公司 - 专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置ESD*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。
ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”，并不断致力于进一步提高器件的性能。另外，除了元器件的开发，ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。
EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
包括服务器和AC适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统
碇基半导体成立于2022年7月，是全球电源管理和变压器厂商 - 台湾台达电子(Delta Electronics, Inc.)的子公司，主要从事GaN元器件的开发。
术语解说
*1) GaN HEMT
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。
*2) RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss
是用来评估器件性能的指标，其中Ciss是指从输入端看的总电容，Coss是指从输出端看的总电容。该值越低，开关速度越快，开关时的损耗越小。
*3) ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)
当人体和电子设备等带电物体相互接触时会产生静电。这种静电会导致电路和设备发生误动作甚至损坏。
新闻来源：ROHM 官网
